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掺硼金刚石-学术百科-知网空间

发布日期:2020-10-18 10:00 作者:AG体育

  指金刚石晶体中的夹杂物、点缺陷和晶格的线缺陷及面缺陷。多年来对金刚石晶体缺陷采用了...样品的电子顺磁共振表明,谱线同单个不成对的电子出现有关,这种电子是定位在金刚石晶格中取代位置上的氮原子附近,采取去氮措施可得到ⅡA型金刚石,掺硼可以得 ...

  采用二氧化钛光催化结合掺硼金刚石电催化来提高污染物氧化效率.以苯酚作为模型废水污染物,分别比较了采用BDD电催化和TiO2光催化以及两者结合方法的降解过程,研究了电流密度和初始浓 ...

  Journal of Southeast University(English Edition)

  在EACVD(electron-assisted hot filament chemical vapor deposition)金刚石膜沉积系统上制备出了掺硼金刚石厚膜电极,采用 ...

  采用直流热阴极CVD法制备掺硼金刚石膜.利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对样品进行了表征,利用电化学循环伏安法测试了掺硼金刚石膜电极的电化学特性.结果表明,该 ...

  在不同的甲烷流量下,用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)在N型(100)单晶硅片上制备了掺硼金刚石薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱(Raman)对薄膜检测的结果表明,随 ...

  采用微分脉冲阳极溶出伏安法,研究了Ag+、Cu2+、Pb2+、Sn2+、Cd2+等多种共存金属离子在掺硼金刚石(BDD)表面双金属共沉积-共溶出电化学行为.结果表明,双金属在掺硼 ...

  2008年03期双金属掺硼金刚石表面共沉积-共溶出模型微分脉冲阳极溶出伏安法;

  掺硼金刚石薄膜具有负电子亲和势和良好的电子运输性能且容易制备,作为冷阴极材料在图像显示技术和真空技术等领域都存在巨大的应用价值,引起人们的广泛关注。采用MPCVD法利用氢气、甲烷 ...

  金刚石虽然具有极为优异的性能,如具有很大的能隙,高的电子迁移率、空穴迁移率和高热导率,以及负的电子亲和势,但要将它用于半导体材料时还不能直接使用,必须要先进行金刚石的P型和n型掺 ...

  采用热丝化学气相沉积法,改变工作气压和偏流,在硅基片上沉积了高掺硼金刚石膜。利用扫描电镜(SEM)、拉曼光谱和X射线衍射仪对沉积的金刚石膜表面形貌和结构进行表征。结果显示:当气体 ...

  2010年05期高掺硼金刚石膜气体压强偏流热灯丝化学气相沉积扫描电镜X射线衍射仪拉曼光谱;

  为了阐明氢吸附和氧吸附对掺硼金刚石薄膜电极电化学性能的影响,考查了表面氢化和氧化处理后金刚石薄膜的微观形貌和组分,并分别以氢吸附和氧吸附掺硼金刚石薄膜作为工作电极,进行循环伏安特 ...

  介绍了一种帽状结构的掺硼金刚石膜热敏电阻器及其制备工艺。使用PCVD方法在Si3N4或Si基片上淀积掺硼金刚石膜,然后在金刚石膜上淀积Ti/Au薄膜以形成欧姆接触电极。结果获得了 ...


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